關(guān)于提高天線陣增益的問(wèn)題

     最近在做一個(gè)提高Ku波段微帶天線陣的增益的工作，64元天線本來(lái)就有接近24dB的增益，即在不考慮耦合情況下，64元增加18dB，對(duì)于微帶陣元，6dB也算比較正常的一個(gè)值。單獨(dú)仿過(guò)陣元，是8.5dB。 
     考慮加載一些結(jié)構(gòu)來(lái)提高增益，進(jìn)展不太好。 
     現(xiàn)在請(qǐng)教一下各位前輩，如果用不等幅饋電，壓低副瓣，能提高天線增益么？以前問(wèn)一個(gè)師兄，他說(shuō)不可以。沒(méi)有說(shuō)原因。想問(wèn)一下各位，是為什么。 
      

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不等幅不是該降低增益嗎

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幅度均勻分布時(shí)，增益應(yīng)該是最高的。

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嗯，原來(lái)是這樣，可是如果電流不等幅分布，副瓣低的話，主瓣增益不會(huì)此消彼長(zhǎng)么？

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副瓣低了，主瓣的波束寬度會(huì)變寬的，增益提高不了的。

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問(wèn)題描述不清楚。首先是固定口徑還是固定單元個(gè)數(shù)？陣元間距是多少？普通微帶在增益達(dá)到一定值之后就由于饋電網(wǎng)絡(luò)的損耗增益開(kāi)始下降。有多種方法提高增益，沒(méi)有口徑要求可以適當(dāng)?shù)脑龃罂趶剑�也可以減少饋電網(wǎng)絡(luò)損耗，可以加特殊的匹配覆層。具體問(wèn)題具體分析。

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用介質(zhì)加載的天線單元增益可以達(dá)到9.5左右，且在一定頻帶內(nèi)具有良好的增益與駐波帶寬，組成陣列后的反算單元增益也較一般單層微帶天線單元高1，但介質(zhì)加載單元一般考慮帶狀線縫隙耦合饋電的單元及陣列結(jié)構(gòu)。 
一般的微帶陣列天線單元間距在0.75到0.85倍的波長(zhǎng)之間。等幅同相的情況下增益理論最高。但微帶線間的耦合對(duì)于幅度和相位影響還是比較大的，尤其在相位不一致的情況下，增益下降很快。一般來(lái)說(shuō)做到饋電網(wǎng)絡(luò)在中心頻點(diǎn)的相位一致性在10度以?xún)?nèi)的話，性能還是能夠保證的。

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樓主說(shuō)的實(shí)際上是個(gè)效率問(wèn)題，在布陣形式確定的情況下，看哪種饋電形式陣列效率高。等幅同相饋電時(shí)效率最高，理論上為1，不等幅同相時(shí)，會(huì)得到較為特殊的波束波形，但都是以犧牲效率取得的。

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樓主，問(wèn)你一下啊“即在不考慮耦合情況下，64元增加18dB”想問(wèn)問(wèn)你這個(gè)多少陣元增益應(yīng)該增加多少是怎么算出來(lái)的呢？具體的那些書(shū)籍上有介紹呢？謝謝了~

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請(qǐng)問(wèn)版主若是等副同相激勵(lì)，陣列的增益增加對(duì)所有天線都是適用的么？ 
那如果是2元陣，增益會(huì)增加多少呢？ 
最近在仿一個(gè)微帶漏波天線，發(fā)現(xiàn)2元陣的增益沒(méi)有增加，很疑惑

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