HFSS 饋電阻抗設計新發現·····

最近閑來無事把HFSS打開隨便折騰會，發現個好玩的事情
微帶天線，lumport饋電，饋點阻抗一般只設實部resistance：50歐姆，虛部reactance：0歐姆 仿真后vswr在2左右，但total gain比realize gain高3dB多。

然后，改變饋電阻抗，實部100歐姆，虛部為0，仿真后vswr稍有變化，變化很小，total gain不變，realize gain提高將近2dB why？
基本上，realize gain與饋電阻抗成正比
另外，如果改變虛部的話，比如 實部50歐姆，虛部-40歐姆，vswr稍有變化，realize gain也有明顯提高

請教高手這個是怎么回則事？

期待解決#@@

你好，你可以翻看一下realized gain的定義先

realize gain 就是加入了一些端口損耗的增益，在totalgain不變的情況下，以往的經驗是 realizegain 與VSWR有很直接的關系，但現在這個現象 例外了 所以不解 還請指教

你從50歐變到100歐后的駐波比變化會很小嗎？假設你的端口對50歐阻抗完全匹配，這個時候VSWR等于1，但是對100歐VSWR是2，所以我對你說的駐波比變化很小表示懷疑。

嗯 對，你說的沒錯，但是我把后面的port renormalization 也改為100歐姆了，所以本來端口50歐姆的，port renormalization也是50歐姆，后面全改100了，對應歸一化就是除100，所以VSWR變化不大，根據頻段的，有些影響較大，有些較小

不錯的，謝謝分享！