Perfect H 對應那些實際情況？
“Perfect E ”對應理想導體邊界
“Perfect H ”對應那些情況？
多謝前輩指點
理想磁邊界即理想磁導體，用電磁場理論中的磁荷模型進行分析即磁荷可以在理想磁導體自由移動，理想磁導體中磁場為0，邊界上可聚集面磁荷，面磁流，從而使磁場方向垂直于邊界。電場方向與邊界相切。
以上是引用的
估計鐵氧體可以算理想磁導體了吧
呵呵，這些東西是理論的。在HFSS仿真中，它用在那些情況呢？
那就不知道了，我也是小菜 呵呵
真正學才幾天
我也剛開始學習，有時候把HFSS中的東西和實際的對不上，呵呵
同感啊
在實際的物理模型中是沒有理想磁壁的，可根據(jù)激勵和結構的對稱存在等效的理想磁壁
當結構對稱,結構中的場分布也對稱,而且對稱面恰好為磁壁(磁場切向分量為0)時就可以只畫一般模型,然后將對稱面設為磁壁,以此減少計算時間.(fullbook里好象就是這么用的)
在實際模型中,好象還沒見過可以看作磁壁的東西.
perfect E和perfect H 是理想導體邊界條件和理想磁體邊界條件，理想導體邊界條件是邊界面上切向電場為0，而理想磁體邊界條件是邊界上切向磁場為0，一般我們會用到理想導體邊界條件，比如波導壁
比如說，一個矩形波導，考慮TE10mode，我們認為，上下都是perfect E，垂直上下面的，正中間的那個面不就是H面嗎？quote 樓上的，“一般我們會用到理想導體邊界條件，比如波導壁” 很多情況我們都可以用perfect H面的，最簡單的情況： 當你在simulate一個矩形waveguide的時候，為了節(jié)省時間，你可以只simulate半個，而半個的邊界條件就不同于整個了，其中就有一個H面。 總之：就是那個面E最大，H為0的那個面，你就可以設成perfect H.
