HFSS仿真微帶天線微帶饋電的端口問題

微帶天線用微帶饋電的端口大小應該怎么設呢？是不是應該和微帶線的寬度一樣和介質板的高度一樣呢？謝謝！

一般是lumpedport
端口寬度和微帶線寬度一致或更小，我覺得應該是越小越準確，因為最終饋線是和同軸內芯連接，相當于這個連接點和地之間加激勵（雖然理論上微帶傳輸線沿寬度方向電壓是不變的，但在傳輸線的不連續點上電壓是有變化的，在HFSS仿真中看表面電流分布能看出來）

但我看有的帖子說，端口寬帶要是微帶線寬度的十倍，高度是介質板高度的6到10倍，這樣對嗎？

微帶饋電的端口寬度和微帶線寬度沒有太大關系，我試過，對仿真結果沒有明顯的影響。我一般設置成一致。但高度一定要與介質板的一樣，要與接地板接觸，不然仿真結果是錯誤的。在輻射邊界內部用lumpedport ，與輻射邊界共面用waveport。

樓主說的那個是用waveport饋點，跟用lumpedport饋點是不一樣的。waveport算的要比lumpedport要準一些，建議能用waveport的地方盡量用waveport。

我仿真過程中一直是，端口比饋線寬一倍，底面跟接地板同樣高，上面高出介質板1-2倍，效果很好！

關于在HFSS中設置lumped port尺寸的問題，我做過一些研究，也做過一些仿真，現在與大家分享。
首先，大家都知道微帶線，中傳輸的只能是quasi－TEM mode（because：只有充填均勻煤質的傳輸線才可以傳輸TEM mode），兒微帶這種結構，是由空氣和介質兩種不同er的媒質構成，所以只能傳輸此模和高次模。
其次，在x－band以下，基片厚度<最后，端口設置問題，lumped port 的寬度w，影響端口阻抗和傳輸模式，w越寬則高次模越容易傳播，而當substrate的er越高時，怎端口高度H，可以設置的越小，因為這是空氣中的場越少！按照我哦仿真的經驗來講，H>4h;W分別取>=5w,具體的依據天線設計頻率而定。另外，在x波段以下，當端口寬度W取w（the width of microstrip line），端口高度取substrate厚度h時，仿真結果不會有太大偏差，此時天線的諧振頻率會比取5w時，略有幾十Mhz的降低偏差（在寬帶與超寬帶問題中，此類偏差忽略不計）。
懇請大家指正，討論，謝謝，以上是本人的一些仿真心得，希望有用！

設微帶線寬為W,介質基片高為H;波端口的高設置為6---10H;當W大于或等于H時,波端口寬就設置為10W,當W小于H時,波端口寬度設置為5W或者3H到4H這個數量上

我覺得也可以把接頭放到模型里一起仿真，和測試結果和接近的