HFSS仿真微帶天線微帶饋電的端口問題

微帶天線用微帶饋電的端口大小應(yīng)該怎么設(shè)呢？是不是應(yīng)該和微帶線的寬度一樣和介質(zhì)板的高度一樣呢？謝謝！

一般是lumpedport
端口寬度和微帶線寬度一致或更小，我覺得應(yīng)該是越小越準(zhǔn)確，因?yàn)樽罱K饋線是和同軸內(nèi)芯連接，相當(dāng)于這個(gè)連接點(diǎn)和地之間加激勵(lì)（雖然理論上微帶傳輸線沿寬度方向電壓是不變的，但在傳輸線的不連續(xù)點(diǎn)上電壓是有變化的，在HFSS仿真中看表面電流分布能看出來）

但我看有的帖子說，端口寬帶要是微帶線寬度的十倍，高度是介質(zhì)板高度的6到10倍，這樣對(duì)嗎？

微帶饋電的端口寬度和微帶線寬度沒有太大關(guān)系，我試過，對(duì)仿真結(jié)果沒有明顯的影響。我一般設(shè)置成一致。但高度一定要與介質(zhì)板的一樣，要與接地板接觸，不然仿真結(jié)果是錯(cuò)誤的。在輻射邊界內(nèi)部用lumpedport ，與輻射邊界共面用waveport。

樓主說的那個(gè)是用waveport饋點(diǎn)，跟用lumpedport饋點(diǎn)是不一樣的。waveport算的要比lumpedport要準(zhǔn)一些，建議能用waveport的地方盡量用waveport。

我仿真過程中一直是，端口比饋線寬一倍，底面跟接地板同樣高，上面高出介質(zhì)板1-2倍，效果很好！

關(guān)于在HFSS中設(shè)置lumped port尺寸的問題，我做過一些研究，也做過一些仿真，現(xiàn)在與大家分享。
首先，大家都知道微帶線，中傳輸?shù)闹荒苁莙uasi－TEM mode（because：只有充填均勻煤質(zhì)的傳輸線才可以傳輸TEM mode），兒微帶這種結(jié)構(gòu)，是由空氣和介質(zhì)兩種不同er的媒質(zhì)構(gòu)成，所以只能傳輸此模和高次模。
其次，在x－band以下，基片厚度<最后，端口設(shè)置問題，lumped port 的寬度w，影響端口阻抗和傳輸模式，w越寬則高次模越容易傳播，而當(dāng)substrate的er越高時(shí)，怎端口高度H，可以設(shè)置的越小，因?yàn)檫@是空氣中的場(chǎng)越少！按照我哦仿真的經(jīng)驗(yàn)來講，H>4h;W分別取>=5w,具體的依據(jù)天線設(shè)計(jì)頻率而定。另外，在x波段以下，當(dāng)端口寬度W取w（the width of microstrip line），端口高度取substrate厚度h時(shí)，仿真結(jié)果不會(huì)有太大偏差，此時(shí)天線的諧振頻率會(huì)比取5w時(shí)，略有幾十Mhz的降低偏差（在寬帶與超寬帶問題中，此類偏差忽略不計(jì)）。
懇請(qǐng)大家指正，討論，謝謝，以上是本人的一些仿真心得，希望有用！

設(shè)微帶線寬為W,介質(zhì)基片高為H;波端口的高設(shè)置為6---10H;當(dāng)W大于或等于H時(shí),波端口寬就設(shè)置為10W,當(dāng)W小于H時(shí),波端口寬度設(shè)置為5W或者3H到4H這個(gè)數(shù)量上

我覺得也可以把接頭放到模型里一起仿真，和測(cè)試結(jié)果和接近的