微帶天線的側(cè)饋
微帶天線設計中采用側(cè)饋的方式：
1.饋電port就是微帶的末端處垂直于介質(zhì)板且高度與介質(zhì)板相同的一個矩形嗎？
2.積分線如何設置？是否為矩形的中位線，由接觸地的一端指向接觸微帶的一端？
完全正確，你自己試一下不就知道了
仿真出來有結(jié)果 但是不理想 可能是模型有問題吧。
我仿的是一個1/4波長單級子天線，駐波比總是在3左右，增益在-20dB左右，。不知該如何修正下，可以降低VSWR，提高G。
port要在微帶一邊比介質(zhì)稍微高出來一些吧為防止能量泄露
剛試過了 port加高一點也還是不行
VSWR會稍微降低點，但增益就會相應增大
我對天線的理論知識不是很了解 不知道是不是根本建模就有問題
還請各位多多指正哦～
前面我的回復帖里有我的建模，希望有人可以幫我看看
看過了，y方向邊界設置有問題，都貼上介質(zhì)板了。還有，不知你為什么用Driven Terminal的仿真類型，用Driven Modal就可以了。
joabery 謝謝你的幫助！
y方向邊界設置有什么問題？怎么貼上介質(zhì)板了？我不是很理解。希望你能說得詳細點，謝謝！
采用“Driven Terminal”是因為看到用戶手冊上有個關于縫隙天線的例子，微帶饋電采用的是“Driven Terminal ”，因此我也仿照它這樣設置了。
可否說一下這兩個類型的區(qū)別啊？
這個問題我也不清楚 希望知道的朋友幫忙解答
關于這個模型也希望有人可以指正 謝謝！
搜了一下，這個網(wǎng)頁有一些相關的論述。
http://imw.mwhrf.com/SupeSite/?uid-12582-action-viewspace-itemid-1597
