在CST中如何實(shí)現(xiàn)材料模型加外接電壓的仿真？急求
我做出了一個(gè)單元的結(jié)構(gòu)要進(jìn)行時(shí)域仿真，但是在CST當(dāng)中不知道怎么把這個(gè)外電路加進(jìn)去，實(shí)現(xiàn)外加電壓。金色部分為結(jié)構(gòu)，用材為GOLD，基底是GaAs. 如果在CST中無法實(shí)現(xiàn)這種仿真，那么其它什么軟件可以實(shí)現(xiàn)的嗎？謝謝高手指教，不勝感激。。。
電路部分的仿真應(yīng)該使用CST Design Studio。
我知道的。但是該怎么設(shè)置端口呢？沒有端口，在STUDIO DESIGN 里面就沒法加電路部分了啊
再比如說下面的圖1中，1-5處分別是加的什么端口？才能在圖2中進(jìn)行CST MWS/CST DSR的聯(lián)合仿真？
嗯，這個(gè)可以詳細(xì)說一下。
同時(shí)使用CST MWS和CST DS可以實(shí)現(xiàn)EM/Circuit Co-Simulation，這個(gè)是沒有問題的。CST幫助文件《EM/Circuit Co-Simulation Overview》就有非常詳細(xì)地介紹，如果要做電磁/電路仿真的話，建議認(rèn)真閱讀。Help -> CST MICROWAVE STUDIO -> Solvers -> EM/Circuit Co-Simulation。
CST Studio Suite 2010的Examples里面也有3個(gè)算例SRD Pulse Generator、UWB Balanced Amplifier和Matched Antenna，可以參考。其中第一個(gè)是CST官方Application Notes之一，在論壇CST資料庫《CST官方應(yīng)用文章匯總（英文）》中有這篇應(yīng)用文檔。
在EM/Circuit Co-Simulation中建模的時(shí)候，DS和MWS可以通過Discrete Port實(shí)現(xiàn)連接。（"The interface between the 3D EM field simulator and the circuit simulator is facilitated by the use of discrete ports."） 對于算例中的模型，在DS中需要連接電路元件的地方，在MWS中都使用Discrete Port。
EM/Circuit Co-Simulation有兩種運(yùn)算方式：
一種是先用傳統(tǒng)的MWS電磁仿真得到完整的S Parameters Matrix，再在DS中創(chuàng)建S Parameter Task實(shí)現(xiàn)電路計(jì)算。如果三維模型不作修改，電磁仿真不占用很長的仿真時(shí)間，只專注于電路仿真結(jié)果的話，這個(gè)方式是很合適的。一般DS中的電路仿真十幾秒就可以完成計(jì)算。
如果三維模型需要修改，或者模型里有非常多的離散端口，那么使用上面的方法時(shí)，每次電路計(jì)算之前都要計(jì)算完整的S Parameters Matrix，非常沒有效率，因此就有了第二種計(jì)算方式：Transien Co-Simulation。在DS中創(chuàng)建Transient Task，選擇DS中的port設(shè)置激勵(lì)模式，就可以得到對應(yīng)端口的參數(shù)。（通常使用Probe查看電壓和電流參數(shù)，如果要使用S參數(shù)后處理模板，需要將激勵(lì)設(shè)置為signal）具體的設(shè)置、操作請參看上面的幫助文檔。
舉例，我現(xiàn)在仿真以太網(wǎng)里使用的Connector，MWS模型使用16個(gè)single-ended discrete ports，再在DS中設(shè)置16個(gè)ports做Mode Conversion。
使用DS S-Parameter Task耗時(shí)19個(gè)小時(shí)：19 hours MWS transient solver time + 13 seconds DS S-parameter solver time.
使用DS Transient Co-Simulation耗時(shí)1個(gè)小時(shí)左右：1 hour transient co-simulation solver time.
我看過幫助文件了，但是似乎對我所仿的模型沒有太大用處。您說的2010版的CST中有三個(gè)可參考的算例SRD Pulse Generator、UWB Balanced Amplifier和Matched Antenna，可否發(fā)我一下？
Email: victoria101@yeah.net. QQ：394516182（請注明來自微波仿真論壇哦）
萬分感激。。。。
這個(gè)不敢茍同，我不相信這個(gè)對你的模型沒有太大用處，我始終認(rèn)為幫助文件對相關(guān)仿真有大大的用處！就以你在2樓貼的截圖來說，在MWS中在跨接電路的兩點(diǎn)之間創(chuàng)建一個(gè)discrete port，再在DS中對應(yīng)的端口創(chuàng)建電路元器件，這個(gè)不就是幫助文件所說的流程么？
你用的是什么版本的CST？在你的CST里面沒有安裝Example么？至少CST 2009和CST 2010都有這三個(gè)算例。
您說的是這幾個(gè)例子吧，就這幾個(gè)我無法點(diǎn)進(jìn)去。。。呃，不知道為什么
有可能是你沒有安裝CST DS的Examples。你能確定你安裝了MWS和DS的Examples嗎？另外你用的是2009還是2010？
