CST MWS中做了一個(gè)microstrip-slotline的transition，端口設(shè)置
在CST做如上的一個(gè)microstrip-slotline的transition，為了便于觀察，所以做了對(duì)稱的兩個(gè)，一個(gè)微帶線端口入，另一個(gè)出，然后查看S參數(shù)
看CST的一些資料上寫，單個(gè)的微帶線一般就直接選取整個(gè)面做為波端口，可這里的那個(gè)面上有兩個(gè)不同作用的端口了，這種情況要怎么設(shè)置呢?
非常感謝！
沒(méi)看懂原理。一個(gè)端口入一個(gè)端口出，那就是兩個(gè)端口了?分別建兩個(gè)端口不就行了么?要查看什么S參數(shù)?
感謝回復(fù)。
本來(lái)只要一邊作為Tapered slot antenna的饋電結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在先做饋電部分，就做成了兩個(gè)對(duì)接的，看S11,和S12，就是端口不知道怎么畫，直接畫個(gè)矩形設(shè)成端口么?
還是不太明白……。誰(shuí)的S11?誰(shuí)到誰(shuí)的S21?
只看描述的話，自然是各自建立端口，否則無(wú)法得到S21。
“畫個(gè)矩形設(shè)成端口么”，沒(méi)聽(tīng)說(shuō)過(guò)設(shè)置端口還要畫矩形。如果不了解操作，請(qǐng)閱讀CST MWS幫助文件《Waveguide Port Overview》。
受之前HFSS的影響就自然這么想了，呵呵
兩個(gè)端口尺寸完全一樣的，當(dāng)然就是一個(gè)1口，一個(gè)2口了
CST MWS里設(shè)置端口的時(shí)候不是要先選擇一個(gè)面然后設(shè)置成waveport么，這里要如何各自選一個(gè)面?
哦，我是HFSS大白，根本沒(méi)用過(guò)。
我就給你說(shuō)具體點(diǎn)兒吧：
單擊"f"鍵（或者Objects -> Pick -> Pick Face），進(jìn)入“選擇面”模式；
在你需要設(shè)置為端口的微帶線的那個(gè)面上雙擊，就選中一個(gè)面；
單擊工具欄上的"waveguide port"（或者Solve -> Waveguide Ports...），打開(kāi)Waveguide Port設(shè)置選項(xiàng)；
里面的參數(shù)請(qǐng)自己研究（單擊"Help"按鈕會(huì)打開(kāi)CST MWS幫助文件《Waveguide Port》，里面包括所有參數(shù)的解釋）；
以同樣的方法創(chuàng)建另一個(gè)端口。
強(qiáng)烈建議首先閱讀《CST STUDIO SUITE - Getting Started》、《CST MICROWAVE STUDIO - Workflow and Solver Overview》和CST MWS Tutorials，了解最基本的操作是必需的！
管理員你太好了，淚流滿面....
之前我已經(jīng)把卷1卷2已經(jīng)詳細(xì)地看過(guò)了，請(qǐng)看下圖
介質(zhì)上是有兩條微帶線的，我想，如果各設(shè)一個(gè)端口的話，應(yīng)該是下面這個(gè)樣子吧：
可是如果直接pick face的話，就會(huì)選中整個(gè)面設(shè)為一個(gè)端口，像下面這樣：
如果都選中這一個(gè)面設(shè)成兩個(gè)端口，不是就重復(fù)了嗎。
故而有以上的問(wèn)題了....
我看過(guò)CST的一個(gè)教程，是仿真各類傳輸線的，同軸線，微帶，共面波導(dǎo)，槽線，鰭線都有，里面都是直接這樣選擇介質(zhì)邊上的一個(gè)面，像上面第二個(gè)圖那樣，選中之后直接設(shè)成一個(gè)端口，可是這樣在介質(zhì)長(zhǎng)方體的一個(gè)面上出現(xiàn)兩個(gè)不同的端口的時(shí)候，就不太會(huì)設(shè)了。
如果是兩個(gè)端口的話，那就應(yīng)該是第一張圖的樣子。
創(chuàng)建Waveguide Port并不是只有那一種方式，請(qǐng)仔細(xì)閱讀幫助文件《Waveguide Port》，自己動(dòng)手逐個(gè)嘗試每一個(gè)參數(shù)的功能，看看參數(shù)對(duì)端口（尤其是尺寸）有什么影響。
假設(shè)你真的已經(jīng)都試過(guò)了（再次強(qiáng)調(diào)要閱讀幫助文件，我不是客套），我相信你自己一定能想到該怎樣處理。
好的，謝謝幫助！
后來(lái)我是這樣操作的，選中那個(gè)面，點(diǎn)擊設(shè)置波端口，然后改變尺寸（也就是預(yù)定尺寸后面那個(gè)加減號(hào)里的數(shù)值），通過(guò)兩次這樣的操作，做成了如6樓圖1那樣的兩個(gè)端口。然后勾選了自適應(yīng)端口加密進(jìn)行仿真，結(jié)構(gòu)收斂了
請(qǐng)問(wèn)下，這樣 的設(shè)置方法是否正確呢?
因?yàn)榉抡娴慕Y(jié)果與HFSS結(jié)果又較大差異，比如HFSS中個(gè)別頻段S11在-15dB左右，而同樣的結(jié)構(gòu)在CST MWS中相應(yīng)頻段的S11變味了-10dB左右，結(jié)果變差了。 微帶線和地板金屬的厚度我設(shè)為的0.07mm，不知道這個(gè)厚度有沒(méi)有什么影響
1. PCB工業(yè)上默認(rèn)的金屬厚度是0.035毫米。不過(guò)0.035毫米的差異對(duì)性能的影響應(yīng)該沒(méi)有那么顯著。
2. 和HFSS做對(duì)比是可以的，不過(guò)你是如何確定HFSS的結(jié)果是準(zhǔn)確的?（這一點(diǎn)很重要）
3. 最有可能的情況，你沒(méi)有做任何“優(yōu)化”的措施：建模相關(guān)參數(shù)沒(méi)有考慮，網(wǎng)格參數(shù)沒(méi)有調(diào)整，求解器參數(shù)設(shè)置也可能沒(méi)有考慮，所以你的CST MWS的仿真結(jié)果很有可能是“不準(zhǔn)確”的。
建議：先運(yùn)行Energy Based Adaptive Mesh Refinement看看是什么結(jié)果。
還是先感激管理員的回復(fù)...在實(shí)驗(yàn)室里可能都沒(méi)有您回復(fù)的這么認(rèn)真，實(shí)在是非常地感激！
1.關(guān)于金屬板厚度聽(tīng)了你的分析，我放心了，謝謝！
2.HFSS里我大概花了4個(gè)小時(shí)進(jìn)行了16步網(wǎng)格加密，最后結(jié)果收斂到兩次計(jì)算的Delta S在%1以下，于是我認(rèn)為基本準(zhǔn)確了
3.您說(shuō)的Energy Based Adaptive Mesh Refinement是指下面這個(gè)嗎?
CST MWS中進(jìn)行了5步自適應(yīng)網(wǎng)格加密后，結(jié)果也收斂了，如下圖：
之前發(fā)的那個(gè)S參數(shù)的圖就是最后這個(gè)圖：
4.請(qǐng)問(wèn)您提到的“建模相關(guān)參數(shù)”、“求解器參數(shù)設(shè)置”是指?
非常感謝您的熱心回復(fù)和幫助！
HFSS這一點(diǎn)只要你有信心是正確的就很好，因?yàn)檫@是做仿真驗(yàn)證（Validation）的第一步。
其它的參數(shù)其實(shí)就是“所有”的參數(shù)，所以不太可能在這里一條一條地分析。
建議：
1. 把HFSS的結(jié)果圖貼出來(lái)；
2. 把CST MWS模型文件傳上來(lái)。
你也可以把類似的結(jié)構(gòu)畫成中心對(duì)稱的back-to-back結(jié)構(gòu)，這樣就可以把端口設(shè)置在兩個(gè)平面上。在使用wafer probe測(cè)量的時(shí)候，類似結(jié)構(gòu)比較方便測(cè)量。
