哎S參數(shù)不一樣
怎么在Background material properties里面把計(jì)算區(qū)域變大（只在一個(gè)方向上的一端）以后通過(guò)Floquet端口計(jì)算得到的S參數(shù)不一樣呢?
我用的是unit cell邊界條件，按道理說(shuō)這樣是平面波入射的啊，S參數(shù)應(yīng)該一樣才對(duì)的啊！
小弟也遇到了這個(gè)問(wèn)題，苦惱中……
對(duì)于簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)，比如大平板，這個(gè)問(wèn)題就不存在，算得的結(jié)果是一樣的；對(duì)于比較復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，比如二維光子晶體，計(jì)算區(qū)域設(shè)置的不一樣時(shí)，這個(gè)問(wèn)題就凸現(xiàn)出來(lái)了。不知道是什么原因，我想用HFSS來(lái)檢驗(yàn)一下的，初步驗(yàn)證了一下，結(jié)果更加匪夷所思——HFSS的結(jié)果和CST的符合不起來(lái)！
我想可能是端口本身的問(wèn)題，端口是包含很多模式的，比如TE(0,0)、TM(0,0)等，如果你把端口設(shè)置成TE(0,0)模式，那么它吸收的模式也只有TE(0,0)，其他的模式是吸收不了的。一束為T(mén)E(0,0)的入射波入射到二維光子晶體上以后，被分解為了各種模式的電磁波，而計(jì)算的反射系數(shù)只是包含了TE(0,0)模式的。小編可以思考一下，是不是這個(gè)原因。
When you increase the space dimension without carefully review the mesh configuration, the mesh cell should be increased as well. For large and simple components, this increasement will not affect the final results. However, for those small and complex model, the variation of mesh lines may miss the critial points and details on the model.
It is worth to review your mesh configuration again, make sure the "important points" have mesh lines on it.
