平面波入射,激勵和邊界的設置問題?
說明：仿真模型如圖所示,其中包括一個通過分別設立理想電壁(PEC)對和理想磁壁(PMC) 對形成的二端口矩形波導,波導中填充相對介電常數為2.2 的介質(聚丙烯材料) ,而4 個異向介質單元則放置在波導中間,并且在每個端口上入射波均沿法向方向從真空中向波導中傳播,這樣,該仿真模型將能夠對均勻平面波沿法向方向照射具有4 個單元厚度的半無限大異向介質平板的電磁波反射和透射特性進行有效模擬。
這屬于一個平面波入射激勵的情況，我不明白波導端口1和2的邊界條件該如何怎樣設置？誰能提供一個平面波激勵的例子？具體的激勵如何設置？幫助文件講的實在太簡單了。這方面的資料也很少呀。
我用XFDTD做過類似的仿真，如果xz面是PEC邊界，就把入射波極化方向設為沿y方向極化，端口12的邊界用吸收邊界就可以了。HFSS沒有用過，你可以試試。
謝謝關注,端口1和2設為PEC還是吸收邊界呢?PEC不對吧？
激勵設置時選擇WAVE PORT...然后定義Polarize E Field 呢? 還是選擇Incident Wave>Plane wave....
要設置端口，與平面波入射好象矛盾呀？
現在還很糊涂？？？？
一般來講兩種求解模式，第一種是用waveport激勵，當成波導求解，另一種使用incident wave激勵，端口之后加吸收邊界來求解。論壇上好像有類似的資料，樓主不妨找找看
感謝提示,研究中.....
這個工作是用CST作的,CST論壇上的朋友告訴我這是他師兄的論文,是設置的波導端口激勵,不知和平面波激勵會有多大的不同?
軟件還在學習中,弱問如果波導端口激勵,端口12兩個面上設不設邊界條件啊?
我認為不設，端口1，2處什么也沒有，只是端口，所以只設激勵就夠了。而且，我覺得一個面上既然設激勵了，再設邊界就沒有意義了。
個人觀點，如有錯誤還請指正。
同問波端口要怎么定義呀
如果是waveport肯定就不能定義平面波入射如果定義了平面波入射又怎么求S11和S21呀
ps:波導里為什么要填充介質呀???真空不可以嗎?已經定義基板的材料
