請教port的參考電阻問題
我在做天線仿真時，初始建模把端口設(shè)為waveport，參考電阻50歐姆，畫出來的S11中心頻率98GHz，S11的dB表示為-8dB,試著在waveport的后處理選項中把參考電阻改為100歐姆，發(fā)現(xiàn)S11的plot中心頻率變?yōu)?7GHz,-12dB。
我想請問兩個問題：
1.出現(xiàn)上述結(jié)果的原因是什么呢？小女子微波知識匱乏，只知道S參數(shù)有一個叫做renormalize的歸一化參數(shù)，但不知道此歸一化和port的參考電阻有什么樣子的具體關(guān)系？比如是不是兩者有具體的公式聯(lián)系？
2.port的參考電阻指的就是該port的端口電阻嗎？比如我把port1(激勵源端)設(shè)為50歐姆，是不是表示激勵源的電阻就是50歐呢？要是我想把負載電阻設(shè)做100歐姆，是不是也只要把代表負載端的port設(shè)作100歐姆？
煩請知情者替小妹解釋解釋，不勝感激！
s11=Γ=(Zin-Z0)/(Zin+Z0)，表示天線的電壓反射系數(shù)，你畫出的曲線為回波損耗曲線，回波損耗為
10log（s11模的平方），Zin為天線阻抗，Z0為PORT參考阻抗，也就是PORT下面?zhèn)鬏斁€的特性阻抗。
你可以看一下，Zin不變，Z0變了（50歐姆—100歐姆），顯然S11要發(fā)生變化。
第一個問題： 那個歸一化就是指Zin相對于Z0的歸一化，即z in=Zin/Z0，你的Z0變了，歸一化參數(shù)肯定要變，即s11=(zin-1)/(zin+1)會變。
第二個問題：PORT的參考電阻表示在實際當中PORT 下面要接傳輸線的特性阻抗，傳輸線的特性阻抗一般為固定的，多數(shù)為50歐姆，也有100歐姆或者75歐姆等的。一般做天線，你的天線阻抗是要像參考電阻看齊的，而不是PORT參考電阻像設(shè)計天線阻抗看齊。也就是說盡量使得設(shè)計天線的輸入阻抗與參考阻抗相等，這樣才能夠使得天線的反射系數(shù)最小，它的效率才會最高。
以上回答，羅里羅唆，只想對樓主有幫助，到會叫一些微波、天線大拿見笑
非常感謝前面的xxgcatz，原來我之前拿port的阻抗去匹配天線是犯了大錯嘿，
受益匪淺！xxgcatz真是好心人，再次感謝：）
呵呵。一般在天線的后面都要加一段阻抗變換電路的。呵呵
二樓說的不錯，頂一個！
二樓講的有幾分道理, 也不全然正確, 設(shè)計天線時,天線的阻抗應(yīng)該與接收機的輸入阻抗匹配(包括饋線部分). 在接收機的阻抗固定情況下,只能通過調(diào)整天線的阻抗來實現(xiàn)了,譬如RFID中的標簽天線設(shè)計.標簽天線直接與芯片相連, 而芯片的輸入阻抗已經(jīng)固定,且大多數(shù)情況下都是復(fù)阻抗. 這是的端口設(shè)置方式也不能按二樓的方式來理解. 我在實踐中遇到了上述一些情況,拿出來跟大家討論討論.
大家有什么不同意見?
5樓的意思不就是說明有時要在天線與饋線間加入匹配網(wǎng)絡(luò)嘛。
也可以這樣理解, 但這時的匹配網(wǎng)絡(luò)和天線已經(jīng)是一個整體, 單純地從天線地輸入端口阻抗來理解更直接.
因為在RFID標簽中, 芯片直接與標簽天線相連, 芯片地面積很小, 可以用集總端口來替代, 這時為了使標簽得到好的讀寫效果, 就必須把天線的輸入阻抗設(shè)計成芯片的共軛阻抗形式. 就譬如直接用偶極子跟芯片相連, 你把哪部分看成是饋電網(wǎng)絡(luò)呢???
我想如果是這樣的話，肯定是要不天線本身輸入阻抗設(shè)計為共軛阻抗。要不中柬加入一個阻抗轉(zhuǎn)換網(wǎng)絡(luò)。但肯定的是， 與源的阻抗的某種關(guān)系是最終目標。 ，并且7樓說的饋電網(wǎng)絡(luò)應(yīng)該指的是的外界激勵吧。一般RFID里的標簽是無源的嗎？呵呵，我不做這方面，只是原來看過這方面東東，大概記得。他從外界得到的能量并用一個電抗元件儲存起來以便完成一次問答過程。是不是這樣？請指教了！，7樓同志
無源RFID標簽的基本原理正如8樓描述的那樣, 由于芯片面積很小, 絕大部分電子標簽采用講芯片引腳直接和天線焊接在一起, 這時為了很好的匹配, 天線的阻抗就需要設(shè)計成芯片輸入阻抗的共軛形式, 而略去匹配網(wǎng)絡(luò).才能將標簽做小.
