EMC工程師考題
一、單項(xiàng)選擇題 (每題2分)
1．下列哪一個(gè)是歐盟強(qiáng)制認(rèn)證標(biāo)志（ ）
A、CCC B、FCC
C、KCC D、CE
2．下列哪一項(xiàng)不屬于EMI（ ）
A、CE B、CTE
C、CS D、RE
3．EMC控制技術(shù)主要有濾波、屏蔽和（ ）
A、接地 B、隔離
C、降噪 D、鋪地
4．如果要降低電容諧振點(diǎn)的阻抗，可以采取（ ）
A、兩個(gè)相同容值的電容并聯(lián) B、兩個(gè)不同容值的電容并聯(lián)
C、兩個(gè)相同容值的電容串聯(lián) D、兩個(gè)不同容值的電容并聯(lián)
5．下面哪個(gè)是CE標(biāo)準(zhǔn)（ ）
A、EN55032 B、EN61000-6-3
C、EN61000-4-3 D、EN61000-3-3
6．關(guān)于峰值檢波、準(zhǔn)峰值檢波、平均值檢波，測(cè)量時(shí)間最短的是（ ）
A、峰值檢波 B、準(zhǔn)峰值檢波
C、平均值檢波 D、峰值檢波與準(zhǔn)峰值檢波兩種
7．SURGE LV3等級(jí)，線(xiàn)對(duì)地測(cè)試電壓是多少kV？（ ）
A、2 B、1 C、4 D、0.5
8．ESD測(cè)試中，對(duì)金屬部件進(jìn)行靜電放電，采用哪種槍頭？（ ）
A、圓形 B、尖形
C、橢圓形 D、正方形
9．CVTE企標(biāo)中，對(duì)EMI的余量要求是多少dB？（ ）
A、6 B、3 C、0 D、2
10．EMC包含哪兩個(gè)部分？（ ）
A、CE&RE B、CS&RS
B、EMI&EMS D、ESD&EFT/B
11. 電磁干擾的三要素是（ ）
A、傳導(dǎo)干擾 輻射干擾 空間干擾 B、EMI EMS EMC
C、干擾源 耦合路徑 敏感設(shè)備 D、干擾源、耦合路徑、被干擾設(shè)備
12. GB4343.2標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)于浪涌試驗(yàn)相位角要求的變化是（ ）
A、正負(fù)脈沖分別0? 90? 180? 270? B、正負(fù)脈沖分別 90? 270?
C、正負(fù)脈沖分別0? 180? D、正脈沖90? 負(fù)脈沖270?
13.信息技術(shù)設(shè)備的EMC發(fā)射試驗(yàn)依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)為（ ）
A、GB17443 B、GB4824 C、GB9254 D、GB4343.1
14.照明器具和燈具的EMC發(fā)射試驗(yàn)依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)為（ ）
A、GB17443 B、GB4824 C、GB9254 D、GB4343.1
15.家用電器和電動(dòng)工具的EMC發(fā)射試驗(yàn)依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)為（ ）
A、GB17443 B、GB4824 C、GB9254 D、GB4343.1
16.工科醫(yī)（ISM）射頻設(shè)備的EMC發(fā)射試驗(yàn)依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)為（ ）
A、GB17443 B、GB4824 C、GB9254 D、GB4343.1
17.導(dǎo)致地線(xiàn)騷擾問(wèn)題的根本原因是（ ）
A、地線(xiàn)阻抗 B、負(fù)載阻抗
C、輻射騷擾 D、傳導(dǎo)騷擾
18.電源線(xiàn)濾波器的作用是抑制（ ）沿著電源線(xiàn)傳播。
A、輻射騷擾 B、電磁波
C、傳導(dǎo)騷擾電流 D、互感
19.IEC61000-4-2是什么級(jí)別的標(biāo)準(zhǔn)？( )
A、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn) B、通用標(biāo)準(zhǔn)
C、產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn) D、系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)
20.GB9254是什么級(jí)別的標(biāo)準(zhǔn) （ ）
A、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn) B、通用標(biāo)準(zhǔn)
C、產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn) D、系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)
21.全電波暗室是（ ）模擬測(cè)試環(huán)境？
A、自由空間 B、開(kāi)闊場(chǎng)
C、屏蔽室 D、對(duì)流層
22.軍用級(jí)別的電子產(chǎn)品檢測(cè)大多數(shù)檢波方法是（ ）
A、平均值檢波 B、準(zhǔn)峰值檢波
C、峰值檢波 D、有效值檢波
23.自由空間的波阻抗是（ ）
A、667ohm B、377ohm C、50ohm D、266ohm
24、進(jìn)行電磁兼容測(cè)試前一般要先對(duì)電磁環(huán)境電平進(jìn)行測(cè)試，要求所測(cè)的環(huán)境電平比要求的限值要低( )
A、3dB B、10dB、 C、20dB D、6dB
25.以下天線(xiàn)中，適應(yīng)測(cè)試頻率最高的為（ ）
A、偶極子天線(xiàn) B、對(duì)數(shù)周期天線(xiàn)
C、雙錐天線(xiàn) D、喇叭天線(xiàn)
26.以下標(biāo)準(zhǔn)中，優(yōu)先采用的是（ ）
A、專(zhuān)用產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn) B、產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)
C、通用標(biāo)準(zhǔn) D、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)
27.IEC61000-6-1是什么級(jí)別的標(biāo)準(zhǔn)？（ ）
A、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn) B、通用標(biāo)準(zhǔn)
C、產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn) D、系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)
28.橫電波小室（ ）可以用來(lái)代替以下哪種天線(xiàn)？
A、對(duì)數(shù)周期天線(xiàn) B、雙錐天線(xiàn)
C、平板電線(xiàn) D、復(fù)合天線(xiàn)
29.以下測(cè)試環(huán)境中，不帶電磁吸波材料的是（ ）
A、屏蔽室 B、半電波暗室
C、全電波暗室 D、橫電波小室
30.天線(xiàn)輻射的電磁波在遠(yuǎn)場(chǎng)的強(qiáng)度與距離D的關(guān)系是（ ）
A、與D成反比 B、與D的2倍成反比
C、與D的3倍成反比 D、強(qiáng)度與距離沒(méi)關(guān)系
31.根據(jù)電磁干擾的機(jī)理，以下措施中可達(dá)到電磁兼容狀態(tài)的是（ ）
A、抑制干擾源 B、降低設(shè)備敏感度
C、切斷噪聲耦合路徑 D、以上三項(xiàng)都可以
32.一臺(tái)設(shè)備，原來(lái)的電磁輻射發(fā)射強(qiáng)度是300，加上屏蔽體后，輻射發(fā)射降為3，那這個(gè)屏蔽體的屏蔽效能是（ ）
A、100dB B、1000dB C、10dB D、40dB
33.通用標(biāo)準(zhǔn)將特定的電磁環(huán)境分為兩類(lèi):一類(lèi)是居住、商業(yè)和輕工業(yè)環(huán)境，另一類(lèi)是（ ）
A、工業(yè)環(huán)境 B、惡劣環(huán)境
B、民用環(huán)境 D、軍用環(huán)境
34.關(guān)于EMC描述正確的是（ ）
A、設(shè)備在共同的電磁環(huán)境中能一起執(zhí)行各自功能的共存狀態(tài)，即該設(shè)備不會(huì)由于受到處于同一電磁環(huán)境中其它設(shè)備的電磁發(fā)射導(dǎo)致不允許的降級(jí)；也不會(huì)使同一電磁環(huán)境中其它設(shè)備因受其電磁發(fā)射而導(dǎo)致不允許的降級(jí)。
B、設(shè)備暴露在電磁環(huán)境下所呈現(xiàn)的不希望有的響應(yīng)程度。即設(shè)備對(duì)周?chē)姶怒h(huán)境敏感程度的度量。電磁敏感意味著電磁環(huán)境已經(jīng)造成設(shè)備性能的降低。
C、電磁騷擾導(dǎo)致電子設(shè)備相互影響，并引起不良后果的一種現(xiàn)象。
D、當(dāng)引起設(shè)備性能降級(jí)時(shí)，對(duì)從傳導(dǎo)方式引入的騷擾信號(hào)電流或電壓的度量。
35.以下不屬于EMS范疇的是（ ）
A、ESD B、SURGE C、RS D、RE
36.VDE是（ ）的EMC標(biāo)準(zhǔn)化組織和標(biāo)準(zhǔn)制訂單位。
A、歐盟 B、美國(guó) C、非洲 D、德國(guó)
37.30MHz-1000MHz頻段范圍輻射發(fā)射超標(biāo)是以（ ）的值超出標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的限值為判定依據(jù)的。
A、峰值 B、準(zhǔn)峰值
C、平均值 D、峰值與平均值
38.下列不屬于傳導(dǎo)干擾耦合方式的是（ ）
A、共阻抗耦合 B、容性耦合
B、感性耦合 D、近場(chǎng)耦合
39.下列不是靜電放電抗擾度測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的內(nèi)容（ ）
A、放電的第一個(gè)峰值電流 B、在60ns時(shí)的電流
B、在30ns時(shí)的電流 D、在90ns時(shí)的電流
40.靜電放電抗擾度試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定靜電發(fā)生器的儲(chǔ)能電容大小為（ ）。
A、330pF±10% B、150pF±10% C、150pF±5% D、330pF±10%
41.靜電放電抗擾度試驗(yàn)采用（ ）標(biāo)準(zhǔn)。
A、IEC61000-4-2 B、IEC61000-4-4
B、IEC61000-4-3 D、IEC61000-4-5
42.輻射發(fā)射RE測(cè)試時(shí)規(guī)定待測(cè)物EUT離地距離為（ ）
A、1.5m B、40cm C、60cm D、80cm
43.某產(chǎn)品在EMS試驗(yàn)中性能暫時(shí)降低，功能不喪失，試驗(yàn)后能自行恢復(fù)，按照標(biāo)準(zhǔn)判定為（ ）
A、A級(jí) B、B級(jí) C、C級(jí) D、D級(jí)
44.在IEC61000-4-2中，耦合板與參考接地平面之間使用每端帶有一（ ）電阻的電纜進(jìn)行連接。
A、47ohm B、470ohm C、47Kohm D、470Kohm
45.理想的電磁屏蔽材料應(yīng)該有良好的導(dǎo)電性和導(dǎo)磁性，下述材料作為屏蔽材料 時(shí)，其電磁屏蔽效能最好的是（ ）
A、鋼 B、銅 C、合金 D、硅鋼
46.感應(yīng)近區(qū)場(chǎng)的特點(diǎn)（ ）
A、電場(chǎng)和磁場(chǎng)都和距離成反比
B、在傳播方向上不是橫電磁場(chǎng)，在傳播方向上有場(chǎng)分量
C、波阻抗是常數(shù)
D、電場(chǎng)和磁場(chǎng)都和距離成正比
47.孔縫的泄漏程度在面積相同的情況下（ ）
A、縫隙的泄漏比孔洞嚴(yán)重 B、孔洞的泄漏比縫隙的嚴(yán)重
C、一樣嚴(yán)重 D、一樣不嚴(yán)重
48.3W原則指的是（ ）
A、相臨導(dǎo)線(xiàn)中心距離滿(mǎn)足3倍線(xiàn)寬
B、導(dǎo)線(xiàn)到導(dǎo)線(xiàn)邊緣距離滿(mǎn)足3倍線(xiàn)寬
C、導(dǎo)線(xiàn)邊緣到導(dǎo)線(xiàn)中心距離滿(mǎn)足3倍線(xiàn)寬
D、差分信號(hào)與電源線(xiàn)保持3倍線(xiàn)寬。
49.關(guān)于芯片電源引腳退耦電容的放置正確的是（ ）
A、容量大的電容靠近芯片引腳放置 B、容量小的電容靠近芯片引腳放置
C、容量大的電容要遠(yuǎn)離芯片引腳放置 D、容量小的電容要遠(yuǎn)離芯片引腳放置
50.鐵氧體磁珠可以等效分為（ ）
A、電阻 B、電感 C、電容+電感 D、電阻+電感
51.要抑制高頻共模噪聲，下面說(shuō)法正確的是（ ）
A、增加共模電感繞制匝數(shù) B、減少共模電感繞制匝數(shù)
C、使用分繞方式的共模電感 D、使用非晶材質(zhì)共模電感
52.在下列開(kāi)孔中，哪種開(kāi)孔形式的屏蔽效果最好（ ）
53.在下列電容中，（ ）的高頻特性最好
A、貼片電容 B、瓷片電容 C、薄膜電容 D、電解電容
54.關(guān)于以下高頻線(xiàn)纜屏蔽層的端接方法，哪種端接方式效果最好（ ）
55.關(guān)于差分對(duì)PCB布線(xiàn)，下面說(shuō)法不正確的是（ ）
A、等長(zhǎng)布線(xiàn) B、緊耦布線(xiàn)
B、阻抗控制 D、建議跨分割布線(xiàn)
56.濾波器是常用的電磁干擾抑制元件，若用ZS表示源阻抗，ZL表示負(fù)載阻抗，π型濾波器適合于哪種電路（ ）
A、ZS低，ZL低 B、ZS高，ZL低
C、ZS高，ZL高 D、ZS低，ZL高
57.以下瞬態(tài)干擾中，噪聲頻率最豐富，第一個(gè)峰值電流上升時(shí)間最短的是（ ）
A、電快速脈沖群 B、靜電放電
C、雷擊浪涌 D、諧波電流
58.強(qiáng)磁場(chǎng)采用多層屏蔽技術(shù)的作用是（ ）
A、防止磁飽和 B、更好的屏蔽性
C、防止強(qiáng)靜電 D、產(chǎn)生更多的渦流損耗
59.EMI濾波器分為低通濾波器、高通濾波器、帶通濾波器、帶阻濾波器，信號(hào)線(xiàn)噪聲濾波通常使用（ ）
A、帶通濾波器 B、帶阻濾波器
C、低通濾波器 D、高通濾波器
60.PCB板中芯片的VCC管腳和地線(xiàn)之間一般需要放置去耦電容，主要作用（ ）
A、提供穩(wěn)定的直流電源 B、濾除芯片的射頻噪聲
C、提供高頻噪聲的退耦 D、提供穩(wěn)定的直流電源，濾除芯片的射頻噪聲
61.PCB板布線(xiàn)時(shí)，為減少線(xiàn)間的信號(hào)寄生耦合，相臨兩面導(dǎo)線(xiàn)應(yīng)盡量避免（ ）
A、相互垂直 B、斜交 C、直角布線(xiàn) D、相互平行
62.在PCB布線(xiàn)時(shí)，盡量（ ）信號(hào)線(xiàn)與地線(xiàn)圍成的面積，是增強(qiáng)電路抑制噪聲能力的"武林秘籍"之一。
A、縮小 B、控制 C、增加 D、不確定
二、多項(xiàng)選擇題
1.減少輻射干擾的措施有（ ）
A、輻射屏蔽 B、極化隔離
C、距離隔離 D、吸波材料
2.電磁兼容改善方法有（ ）
A、屏蔽 B、濾波 C、接地 D、軟件輔助設(shè)計(jì)
3.傳導(dǎo)干擾耦合的主要方式有（ ）
A、共阻抗耦合 B、容性耦合
C、感性耦合 D、近場(chǎng)耦合
4.共阻抗耦合的干擾抑制方法有（ ）
A、采用隔離設(shè)計(jì) B、降低耦合阻抗
C、電路去耦 D、采用分區(qū)設(shè)計(jì)
5.下列屬于EMI測(cè)試項(xiàng)目的有（ ）
A、CE B、RE C、Harmonic D、ESD
6.電磁干擾的途徑有（ ）
A、傳導(dǎo)騷擾 B、輻射騷擾
C、電場(chǎng)騷擾 D、磁場(chǎng)騷擾
7.輻射干擾的傳輸性質(zhì)有（ ）
A、近場(chǎng)耦合 B、遠(yuǎn)場(chǎng)耦合
C、電場(chǎng)耦合 D、磁場(chǎng)耦合
8.傳導(dǎo)干擾的傳輸性質(zhì)有（ ）
A、電阻耦合 B、電容耦合
C、電感耦合 D、輻射耦合
7.常見(jiàn)的電阻耦合有哪些？（ ）
A、公共地線(xiàn)阻抗耦合 B、公共電源線(xiàn)阻抗耦合
C、公共線(xiàn)路阻抗耦合 D、公共信號(hào)布線(xiàn)阻抗耦合
8.測(cè)量騷擾功率時(shí)，功率吸收鉗后加6dB衰減器的原因是（ ）
A、降低端口的VSWR，阻抗匹配 B、去除外部低頻騷擾
B、去除外部高頻騷擾 D、降低接收信號(hào)，保護(hù)接收機(jī)
9.電子電氣設(shè)備接地方式有（ ）
A、單點(diǎn)接地 B、多點(diǎn)接地 C、混合接地 D、浮地
10.電容作為濾波元件或去耦、旁路，下列屬于必須考慮的基本參數(shù)（ ）
A、ESR B、ESL C、容量、 D、封裝
11.以下可用于抑制消除共模噪聲耦合的是 （ ）
A、變壓器隔離 B、不平衡電路
C、光纖隔離 D、共模電感
12.人工電源網(wǎng)絡(luò)（LISN）的主要作用是（ ）
A、為50Hz市電提供通路
B、隔離EUT產(chǎn)生的電磁騷擾進(jìn)入電網(wǎng)
C、將EUT產(chǎn)生的電磁騷擾耦合到EMI測(cè)量接收機(jī)
D、提供穩(wěn)定的阻抗網(wǎng)絡(luò)
13.關(guān)于連接器選型，下面說(shuō)法正確的是（ ）
A、理想的情況下，每個(gè)信號(hào)針都有相應(yīng)的地引腳伴隨。
B、關(guān)鍵信號(hào)針要通過(guò)地針與其它信號(hào)針隔離。
C、信號(hào)針、電源針、地針的位置與數(shù)量，與輻射無(wú)關(guān)。
D、推薦使用地針與信號(hào)針交錯(cuò)排列的連接器
14.關(guān)于屏蔽方案的選擇，下列說(shuō)法正確的是（ ）
A、應(yīng)采取綜合的方案，綜合選用不同級(jí)別的屏蔽方案
B、要求特別高的產(chǎn)品，可采用多級(jí)屏蔽的方式
C、模塊屏蔽容易實(shí)現(xiàn)、成本低、推薦使用
D、系統(tǒng)級(jí)屏蔽方案比較適合進(jìn)出線(xiàn)纜十分多的產(chǎn)品
15.關(guān)于過(guò)孔，以下說(shuō)法正確的是（ ）
A、時(shí)鐘信號(hào)上避免使用過(guò)孔 B、高速差分信號(hào)避免使用過(guò)孔
C、過(guò)孔在高頻下有寄生特性 D、穿越地層的過(guò)孔避免密集
16.鐵氧體磁環(huán)的選擇原則是，在使用空間允許的條件下選擇（ ）
A、盡量長(zhǎng) B、盡量厚
C、內(nèi)孔盡量小的 D、以上都不對(duì)
17.傳導(dǎo)騷擾可以通過(guò)（ ）等耦合
A、電源線(xiàn) B、信號(hào)線(xiàn)
C、互聯(lián)線(xiàn) D、接地導(dǎo)體
18.輻射騷擾通常的主要耦合路徑有（ ）
A、天線(xiàn)耦合 B、導(dǎo)線(xiàn)感應(yīng)耦合
C、閉合回路耦合 D、孔縫耦合
19.電磁兼容學(xué)是研究在（ ）條件下，各種用電設(shè)備或系統(tǒng)可以共存，并不互相引起性能降低的一門(mén)學(xué)科。
A、無(wú)限的空間 B、有限的空間
C、有限的時(shí)間 D、有限的頻譜資源
20.靜電放電需滿(mǎn)足三個(gè)要素，屬于靜電放電三要素的是（ ）
A、一定電荷的積累 B、放電路徑
C、敏感元件 D、耦合方式
21.靜電產(chǎn)生的主要途徑有（ ）
A、摩擦起電 B、碰撞分離
C、感應(yīng)起電 D、剝離起電
22.下列關(guān)于天線(xiàn)阻抗分析錯(cuò)誤的是（ ）
A、電場(chǎng)天線(xiàn)對(duì)應(yīng)高阻
B、磁場(chǎng)天線(xiàn)對(duì)應(yīng)低阻
C、電場(chǎng)天線(xiàn)與磁場(chǎng)天線(xiàn)都是高阻
D、電場(chǎng)天線(xiàn)與磁場(chǎng)天線(xiàn)都是低阻
23.下列關(guān)于天線(xiàn)增益的描述正確的是（ ）
A、天線(xiàn)增益是衡量天線(xiàn)朝一個(gè)特定方向收發(fā)信號(hào)的能力，它是選擇基站天線(xiàn)
重要的參數(shù)之一。
B、天線(xiàn)的增益由振子疊加而產(chǎn)生，增益越高天線(xiàn)長(zhǎng)度越長(zhǎng)。天線(xiàn)增益越高，方向性越好，能量越集中，波瓣越窄。
C、天線(xiàn)在某一規(guī)定方向上的輻射功率通量密度與參考天線(xiàn)（通常采用理想點(diǎn)源）在相同輸入功率時(shí)最大輻射功率通量密度的比值。
D、天線(xiàn)增益不影響覆蓋距離指標(biāo)。
24.關(guān)于天線(xiàn)按波長(zhǎng)分類(lèi)正確的是（ ）
A、長(zhǎng)波天線(xiàn) B、短波天線(xiàn) C、微波天線(xiàn) D、超短波天線(xiàn)
24.下列關(guān)于差分信號(hào)錯(cuò)誤的說(shuō)法有（ ）
A、差分信號(hào)傳輸是由正極性信號(hào)發(fā)出，到達(dá)接收端后，經(jīng)負(fù)極性信號(hào)返回，信號(hào)不需要經(jīng)過(guò)參考平面返回到源端。
B、差分信號(hào)抗干擾能力強(qiáng)的原因是外界耦合到一對(duì)差分信號(hào)的干擾大小相等，極性相反，會(huì)互相抵消，接收端接收不到干擾信號(hào)。
C、差分信號(hào)的優(yōu)點(diǎn)是抗干擾能力強(qiáng)，磁場(chǎng)互相抵消，EM性能好。
D、差分信號(hào)的缺點(diǎn)是需要等長(zhǎng)、緊耦、阻抗連續(xù)。
25.下列關(guān)于差分信號(hào)回流路徑設(shè)計(jì)要求正確的說(shuō)法是（ ）
A、回流路徑可以選擇地平面
B、回流路徑可以選擇的不同電源平面
C、回流路徑可以是地平面也可以是電源平面
D、回流路徑可以同時(shí)選擇不同電源平面
26.下列關(guān)于差分信號(hào)換層處理的正確做法是（ ）
A、差分信號(hào)盡可能選擇不換層
B、差分信號(hào)換層時(shí)盡可能保持參考平面不改變
C、差分信號(hào)參考平面由電源層換到地平面層更佳
D、差分信號(hào)換層時(shí)必須增加伴隨地過(guò)孔
27.解決串?dāng)_的主要方法有（ ）
A、減小線(xiàn)間距 B、減小平行長(zhǎng)度
C、減小驅(qū)動(dòng)信號(hào)電流電壓 D、增加地線(xiàn)屏蔽
28.阻抗的影響因素有（ ）
A、線(xiàn)長(zhǎng) B、線(xiàn)寬 C、線(xiàn)距 D、介質(zhì)
29.下列關(guān)于干擾源按發(fā)生頻率分類(lèi)正確的是（ ）
A、突發(fā)干擾 B、脈沖干擾。
C、周期性干擾 D、瞬時(shí)干擾。
30.下列關(guān)于時(shí)域分析描述正確的是（ ）
A、可以通過(guò)測(cè)量電壓、電流波形 B、可以分析波形幅度、電平
C、可以分析波形失真、過(guò)沖、振鈴 D、不需要分析寄生振蕩
31.下列關(guān)于頻域分析描述正確的是（ ）
A、可以使用頻譜儀尖頭探針&環(huán)形探針 B、分析頻譜特征、倍頻關(guān)系
C、不能夠從頻譜對(duì)比結(jié)果判斷改善效果。D、分析諧波特性
32.寬帶干擾通常是（ ）產(chǎn)生的
A、DC-DC B、TCON C、AC開(kāi)關(guān)電源 D、數(shù)據(jù)信號(hào)
33.關(guān)于干擾源阻抗描述正確的是（ ）
A、電流源對(duì)應(yīng)高阻抗 B、電流源對(duì)應(yīng)低阻抗
C、電壓源對(duì)應(yīng)高阻抗 D、電壓源對(duì)應(yīng)低阻抗
34.下列是窄帶干擾的抑制方法的有（ ）
A、屏蔽 B、接地 C、濾波 D、軟件
35.下列關(guān)于主芯片散熱輻射解決方案正確的是（ ）
A、散熱片與主芯片間距控制 B、散熱片形狀修改
C、散熱片材質(zhì) D、散熱片接地方式
36.下列通過(guò)PCB設(shè)計(jì)解決窄帶干擾的措施正確的是（ ）
A、信號(hào)布線(xiàn)長(zhǎng)度控制 B、串?dāng)_控制
C、阻抗控制 D、濾波器位置
37.關(guān)于寬帶干擾的抑制方法描述錯(cuò)誤的是（ ）
A、展頻技術(shù)的應(yīng)用 B、器件選型
C、PCB環(huán)路面積控制 D、濾波器設(shè)計(jì)與應(yīng)用
三、填空題
1.火線(xiàn)、零線(xiàn)與地線(xiàn)之間的干擾稱(chēng)為【 】干擾，火線(xiàn)與火線(xiàn)或火線(xiàn)與零線(xiàn)之間的干擾稱(chēng)為【 】干擾。
2.電磁兼容問(wèn)題的主要解決方法包括【 】，【 】， 【 】。
3.電磁兼容三要素包括【 】，【 】，【 】。
4.輻射干擾源數(shù)學(xué)模型的基本形式包括【 】，【 】或輻射干擾源可歸納為【 】和【 】。
5.屏蔽效能SE分別用功率密度、電場(chǎng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)描述應(yīng)為【 】,【 】,【 】。
6.反射濾波設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)使濾波器在阻帶范圍，其并聯(lián)阻抗應(yīng)【 】而串聯(lián)阻抗則應(yīng)【 】。
7.電容性干擾的干擾量是【 】；電感性干擾在干擾源和接受體之間存在【 】；電路性干擾是經(jīng)【 】耦合產(chǎn)生的。
8.隨著頻率的【 】，孔縫泄露越來(lái)越嚴(yán)重，金屬網(wǎng)對(duì)【 】頻段不具備屏蔽效能。
9.靜電屏蔽必須具備完整的【 】和良好的【 】
10.電磁屏蔽的材料特性主要由它的【 】和【 】所決定。
11.濾波器按工作原理分為【 】和【 】，其中一種是有耗能元件組成如【 】材料組成。
12.國(guó)際電磁兼容技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系分為【 】,【 】,【 】和【系統(tǒng)間電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)】4類(lèi)。
13.分析傳導(dǎo)干擾通道低頻特性多采用【 】參數(shù)電路模型，而分析高頻特性則采用【 】參數(shù)電路模型。
14.低頻磁場(chǎng)屏蔽主要是利用【 】材料對(duì)干擾磁場(chǎng)進(jìn)行 【 】，高頻磁場(chǎng)屏蔽則采用【 】材料在屏蔽體表面產(chǎn)生【 】的屏蔽目的。
15.共模扼流圈由兩個(gè)【 】相同和【 】相同的繞組組成，對(duì)共模干擾呈現(xiàn)高阻抗作用。
16.按照頻率特性進(jìn)行分類(lèi)，常見(jiàn)的濾波器包括【 】,【 】,【 】,【 】4類(lèi)。
17.設(shè)U1和U2分別是接入濾波器前后信號(hào)源在同一負(fù)載阻抗上建立的電壓，則插入損耗可定義為【 】
18.兩導(dǎo)線(xiàn)的干擾電流振幅相近、相位相同的干擾稱(chēng)為【 】，干擾電流振幅相等、相位相反的稱(chēng)為【 】。
19.雙絞線(xiàn)多用于【 】工作范圍，在單位長(zhǎng)度線(xiàn)長(zhǎng)中互絞圈數(shù)【 】，消除噪聲效果越好，在額定互絞圈數(shù)中，頻率【 】屏蔽效果越好。
20.減小電容耦合干擾電壓的有效方法有三種：【 】【 】【 】
21.金屬板的屏蔽效能SE(dB)包括【 】【 】【 】。
22.如果近場(chǎng)中源是電場(chǎng)騷擾源，干擾源具有【 】， 【 】的特性。
23.抑制瞬態(tài)騷擾的常用器件有【 】【 】 【 】。
24.通常模擬電路工作與低頻狀態(tài)，對(duì)于這樣的敏感電路，【 】是最好的接地方式；但對(duì)于高速數(shù)字電路或高頻模擬電路，高頻電流是由接地噪聲電壓產(chǎn)生，宜優(yōu)先選擇【 】方式。
25.輻射干擾是指【 】，傳導(dǎo)干擾是指【 】。
26.抗擾度是指【 】
27.當(dāng)高頻信號(hào)通過(guò)鐵氧體磁珠時(shí)，電磁能量以【 】的形式耗散掉。
28.鐵氧體磁環(huán)的選擇原則是，在使用空間允許的條件下【 】。
29.電場(chǎng)屏蔽的實(shí)質(zhì)是在【 】的條件下，將干擾源發(fā)生的【 】終止于由良導(dǎo)體制成的屏蔽體，切斷了干擾源與受感應(yīng)之間的電力線(xiàn)交連。
30.金屬盒的高頻磁場(chǎng)屏蔽效能與【 】有關(guān)。
31.磁屏蔽是利用由【 】制成的磁屏蔽體，提供低磁阻的磁通路使得【 】在磁屏蔽體上的分流，來(lái)達(dá)到屏蔽的目的。
32.計(jì)算和分析屏蔽效能的方法主要有【 】、【 】和【 】。
33.輻射騷擾通常的4種主要耦合路徑為【 】【 】【 】【 】。
34.輻射耦合是以【 】的形式將電磁能量從騷擾源經(jīng)空間傳輸?shù)矫舾性O(shè)備。
35.在實(shí)際使用中的金屬屏蔽體都要求【 】，因?yàn)檫@樣可以同時(shí)屏蔽【 】和【 】。
36.常見(jiàn)的電磁兼容認(rèn)證標(biāo)志，中國(guó)的是【 】，美國(guó)的是【 】,歐洲的是【 】，韓國(guó)的是【 】。
