CST雙貼片天線仿真實例
構建雙貼片天線和相應的匹配網絡，貼片以鏡像配置進行了優化，將貼片異相激發180°。在實際應用中，這些類型的天線通常使用連接到天線的SMA同軸電纜進行激勵。選擇相應的工程模塊，如下圖所示：
1. 材料加載
2. 模型構建
3.饋電端創建
4.貼片創建
5.鏡像操作
6.波導端口激勵
7.求解設置
如果僅對S-Matrix計算感興趣，請設置S參數對稱性以加快仿真過程。，僅計算一個端口。
8.查看端口模式
仿真中執行的第一個操作是解決項目中定義的所有波導端口的2D本征模求解器問題。檢查模式類型和線路阻抗值，以確認您正確地激勵了微帶。
選擇端口信號文件夾。信號（o1,1＆o2,1）振蕩并緩慢衰減到零。天線諧振如下圖所示
選擇S-Parameters文件夾。這些貼片在3.4 GHz附近匹配，并且彼此之間進行耦合（-20 dB）。
選擇電源>激勵[1]文件夾。
在3.4 GHz時，大部分接收器功率（= Pstimo（1- | S11 | 2- | S21 | 2）從貼片天線輻射出去。一小部分在電介質（Taconic）和金屬（ 銅）內。
實時場圖如下所示：
遠場圖如下所示：
獲得的遠場激勵端口[1]相對于遠場[2]鏡像（平面法線：x）。
結果合并
從“后處理”功能區中打開“合并結果”以應用疊加原理（線性系統）。
指定每個端口的幅度和相移。此操作模擬以相同的功率（0.5 W）和寬帶相移（180°）同時激勵貼片，以獲得相位干擾。操作如下圖所示：
在1D結果，2D / 3D結果和Farfield下，將使用激勵字符串1 [1,0] 2 [1,180]自動創建新條目。
在“ S參數”文件夾中選擇新條目。與標準S參數（S1,1）相比，端口上的入射和反射電壓波譜的比率（只有一個端口被激發，而其他所有端口都完全匹配）。所有激發的端口均根據其自身的入射波進行歸一化。如下圖所示：
實時場圖如下圖所示：
端口1和端口2同時被激勵。
遠場圖如下圖所示：
與單一激勵情況（6.55 dBi）相比，組合激勵導致天線的指向性更高（8.85 dBi）。
彩蛋：對于由數百個/數千個端口組成的較大陣列，就計算時間而言，使用同步激勵直接執行仿真會更有效。如下圖所示：
