CST2023線纜仿真案例（一）： 轉(zhuǎn)移阻抗
作者 | Wang Jieyu
不知道用過CST2023版本的小伙伴們有沒有發(fā)現(xiàn)在component library中出現(xiàn)了一個關(guān)于cable 轉(zhuǎn)移阻抗及屏蔽衰減的仿真案例—triaxial setup。下面就來詳細說說這個仿真案例。
1、【仿真模型】
3D仿真模型由一個1m長的同軸線纜、一個金屬套管、一個連接器組成，如下圖所示。
其中，在同軸線兩端添加cable port，在連接器兩端添加waveguide port。可以仿真得到這兩部分3D模型的S參數(shù)，如下圖所示。
在電路模型中，同軸線一端連接port1，屏蔽層連接參考地。同軸線的另一端端接50Ω電阻后與屏蔽層短接，并與連接器一端相連。連接器的另一端連接port2。
在該案例的幫助文檔中給出了完整的模型示意圖，可以更加清晰地了解仿真模型與測試設(shè)置之間的對應關(guān)系。如用電路端口模擬信號發(fā)生器和接收機（網(wǎng)絡(luò)分析儀），用50Ω電阻模擬內(nèi)部電路的負載電阻，以及連接器的外導體與金屬套管相連等，如下圖所示。
2、【仿真設(shè)置】
在schematic界面中添加S參數(shù)task: SPata1（S parameter
Task），然后新增的SPata1 task下增加后處理task:
PP1（Post Processing Task）。
S parameter Task的設(shè)置這里不贅述，基本上可以使用默認設(shè)置。
Post Processing Task中需要計算線纜的轉(zhuǎn)移阻抗、屏蔽衰減以及其相關(guān)的截止頻率。
3、【后處理設(shè)置】
添加PP1 task，并編輯相關(guān)后處理公式。詳細內(nèi)容請參考CST2023 component library中的案例。
4、【仿真結(jié)果】
轉(zhuǎn)移阻抗
考慮截止頻率的轉(zhuǎn)移阻抗
屏蔽衰減
考慮截止頻率的屏蔽衰減
5、【仿真結(jié)果分析及對比】
利用上述三同軸法仿真得到的轉(zhuǎn)移阻抗結(jié)果與Cable Studio中屏蔽層解析公式法得到的轉(zhuǎn)移阻抗進行對比可知，仿真與解析結(jié)果基本一致。
再對比兩種不同編織密度的屏蔽層的轉(zhuǎn)移阻抗，仿真及解析結(jié)果如下。從仿真結(jié)果可知，當Strands in one carrier=4時，屏蔽層的編織密度比較稀疏，屏蔽效果相比較差。
