貼片天線陣列CST仿真設(shè)計實例（2）
緊接上篇貼片天線陣列CST仿真設(shè)計實例（1）。
在大型相控陣的設(shè)計過程中，通常有兩個階段：在單元設(shè)計階段，我們對單個元素進(jìn)行優(yōu)化以在無限大的陣列中運行。在這一階段，有源元件阻抗AEI和有源元件圖形AEP受到關(guān)注。這些可以解決陣列的單位單元，以高精度預(yù)測整個陣列的預(yù)期性能（適用于大型陣列）。在整個陣列設(shè)計階段，由于陣列實際上是有限的，我們有興趣研究非周期性的影響，研究彎曲的天線罩，校準(zhǔn)線或其他不能在單位像元上考慮的幾何元素的影響。
修改參數(shù)，如下圖所示：
從“模擬項目”列表中選擇“陣列任務(wù)”。
在X和Y中啟用鏡像選擇。選擇數(shù)組的外部元素。將所選單元設(shè)置為被動。
選擇激勵模式，指定泰勒作為陣列激勵模式，將相對旁瓣電平設(shè)置為-30 dB，單擊確定進(jìn)行確認(rèn)，切換到激勵視圖。
創(chuàng)建一個單元模擬工程，指定掃描角度，選擇所需的遠(yuǎn)場監(jiān)視器，然后單擊“確定”。
將Zmin邊界條件設(shè)置為電，以避免離散接地平面下方的體積。由于地面無限大，因此沒有磁場可以在該區(qū)域中流動！
啟用不依賴于掃描角度phi的偏振。
默認(rèn)情況下，F(xiàn)loquet模式的極化是（可變）掃描角度phi的函數(shù)。啟用與掃描角度phi無關(guān)的極化后，基本模式TE（0,0）和TM（0,0）將線性變化組合，使得所得的第一模式的偏振與給定的端口偏振角（相對于端口的u軸，以度數(shù)為單位，如波導(dǎo)端口）對齊。因此，可以針對整個掃描角度范圍優(yōu)化天線的交叉極化。
創(chuàng)建全陣列仿真工程。定義每個元素相位的默認(rèn)設(shè)置。
已經(jīng)創(chuàng)建了一個名為Full Array1的新仿真項目。
完整的數(shù)組對布局，3D導(dǎo)航樹中的組件和端口使用相同的索引名稱。
將使用新參數(shù)PAA_FA創(chuàng)建“模擬項目”，以定義“有限陣列”掃描角度屬性。
激勵列表：
有效端口（x）使用預(yù)定義的泰勒振幅錐度和參數(shù)相移信息自動設(shè)置。這些端口同時被激勵。
結(jié)果如下圖所示
在參數(shù)掃描結(jié)束時，將處理AEI（Active S1,1）曲線，該曲線是掃描角度THETA和PHI的函數(shù)，并且僅針對那些具有關(guān)聯(lián)的遠(yuǎn)場監(jiān)視器的頻率將其顯示為2D彩色圖。
有源元件模式（AEP）
有源元件方向圖是使用從天線端口到Floquet基本模式的耦合數(shù)據(jù)來計算的。
具有在“單元像元”任務(wù)中定義的相同分辨率的生成的1D切割將被收集并可視化為3D遠(yuǎn)場。
